Project information
Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů
- Project Identification
- GAP204/12/0595
- Project Period
- 1/2012 - 12/2013
- Investor / Pogramme / Project type
-
Czech Science Foundation
- Standard Projects
- MU Faculty or unit
- Central European Institute of Technology
- Cooperating Organization
-
Charles University
- Responsible person Mgr. Jindřich Kynický, Ph.D.
Trojrozměrné topologické izolanty mají pozoruhodné fyzikální vlastnosti povrchových elektronových stavů. Dosud však bylo publikováno pouze několik experimentů na epitaxních vrstvách. Cílem tohoto projektu je studium elektronových vlastností epitaxních vrstev topologických izolantů, jejich strukturních vlastností a závislosti elektronových vlastností na strukturní kvalitě. K určení strukturních vlastností bude použita zejména metod rozptylu rentgenového záření, elektronové stavy budou studovány pomocí úhlově rozlišené fotoelektronové a infračervené spektroskopie. Dosažené výsledky budou srovnány dále s měřeními transportních vlastností, elektronové mikroskopie a mikroskopie skenovací sondou.
Publications
Total number of publications: 4
2015
-
Structural and electronic properties of manganese-doped Bi2Te3 epitaxial layers
New Journal of Physics, year: 2015, volume: 17, edition: January, DOI
2014
-
Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates
Physica Scripta, year: 2014, volume: T162, edition: September, DOI
2013
-
Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates
Crystal Growth & Design, year: 2013, volume: 13, edition: 8, DOI
-
Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films
Applied Surface Science, year: 2013, volume: 275, edition: Jun, DOI