Informace o projektu
Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
- Kód projektu
- MUNI/A/1047/2009
- Období řešení
- 1/2010 - 12/2012
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Masarykova univerzita
- Grantová agentura MU
- DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
-
Přírodovědecká fakulta
- prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.
- Mgr. Silvie Bernatová, Ph.D.
- doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
- prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
- doc. Mgr. Jiří Chaloupka, Ph.D.
- Mgr. Jan Jíša
- Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
- Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
- prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.
- Mgr. Jiří Růžička
- prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc.
- Mgr. Michala Slabá
- Mgr. Ing. Jiří Vašátko, Ph.D.
- Mgr. Jiří Zelinka, Ph.D.
Nejvýznamnější součástí vědecké činnosti pracovníků ÚFKL PřF, studentů oboru Fyzika kondenzovaných látek doktorského studijního programu Fyzika a studentů oboru Fyzika kondenzovaných látek magisterského studijního programu Fyzika je výzkum struktury (uspořádání atomů), elektronové struktury (chování souboru elektronů) a optické odezvy (reakce na elektromagnetické pole) vybraných pokročilých materiálů. Je zaměřen na určení a obvykle též objasnění vlastností těchto materiálů zajímavých v kontextu základního výzkumu a v některých případech též z hlediska potenciálních aplikací v nedaleké budoucnosti a na vývoj příslušných měřicích a výpočetních metod. Cílem projektu je uskutečňovat tento výzkum se zapojením studentů i nadále, zejména v následujících oblastech: (a) polovodičové nanostruktury, zejména kvantové tečky vzniklé samouspořádávacími procesy; (b) technologicky významné objemové polovodiče a příměsi v nich; (c) oxidy a pniktidy přechodových kovů, zejména vysokoteplotní supravodiče. (d) Povrchové plasmony.
Publikace
Počet publikací: 12
2013
-
Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
Applied Physics Letters, rok: 2013, ročník: 103, vydání: 20, DOI
2012
-
Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition
Physical Review B, rok: 2012, ročník: 86, vydání: 11, DOI
-
Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs
Journal of Applied Physics, rok: 2012, ročník: 111, vydání: 2, DOI
-
Quantum mechanical picture of the coupling between interlayer electronic excitations and infrared active phonons in bilayer cuprate superconductors
Physical Review B, rok: 2012, ročník: 86, vydání: 1, DOI
2011
-
Origin of the magnetic field induced changes of the transverse plasma mode in the c-axis infrared response of underdoped YBa2Cu3O7-delta
Journal of Physics: Condensed Matter, rok: 2011, ročník: 23, vydání: 41, DOI
-
Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques
Solid State Phenomena, rok: 2011, ročník: Neuveden, vydání: 178-179
-
Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
Physical Review B, rok: 2011, ročník: 83, vydání: 12, DOI
-
Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques
physica status solidi (a), Applied research, rok: 2011, ročník: 208, vydání: 11, DOI
-
X-RAY LAUE DIFFRACTION STUDY OF OXYGEN PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, rok: 2011, ročník: 18, vydání: 3
2010
-
Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
Applied Physics Letters, rok: 2010, ročník: 97, vydání: 203107